次世代非揮発性記憶市場のサイズ2025-2035

---

今後数年間でこの市場を形づけるトレンドは?

次世代非揮発性メモリ市場は、2024年のUSD 7.34 Billionおよび2025のUSD 8.66 Billionのために占められている2035のUSD 45.37 Billionに達すると、2025と2035の間の約18.01%のCAGRで成長しています。 技術の進歩によって運転される高速記憶解決のための増加された要求は5Gネットワークを拡大し、データ集中的な適用およびテレコミュニケーションの成長を燃やします。

次世代非揮発性メモリ(NVM)市場は、現在の基準よりもはるかに高速なデータ検索率で動作し、電源がオフになった場合でも情報を保存できる新しいメモリソリューションの生成を指します。 PCM、ReRAM、MRAM、および3D NANDフラッシュのキー技術です。 この市場は、消費者エレクトロニクス、データセンター、自動車、産業用IoT、人工知能など、エンドユースアプリケーションにおける優れた動作速度、高密度、およびメモリ密度の要求に応じて増加しています。

データ指向のアプリケーションが増え、リアルタイムのデータ処理の要求が増加し、クラウド技術の増大により、現在の業界における将来の市場は継続的に成長しています。 つまり、この市場の一般的な格付けは、企業がより迅速なストレージソリューションの必要性を改善するために取り組んでいるので、今後も成長し続けます。

業界の専門家が市場動向について言うことは?

「マイクロン・テクノロジーでは、非揮発性メモリ・ソリューションの高度化、効率的なデータ・インテンシブ・アプリケーションにおけるメモリの高まりや、5Gのような技術の拡大がイノベーションの大きな機会を創出するという課題を解決するべく取り組んでまいります。 3D NAND FlashやMRAMなどの次世代メモリ技術への投資は、この変革市場の最前線に立ち向かう。

• Micron TechnologyのCEO、Sanjay Mehrotra。

レポートが分析するセグメントと幾何学は?

市場を形づける主要な運転者および挑戦は何ですか。

データ集約型アプリケーションにおける高速・効率的なメモリソリューションへの要求の獲得

業界におけるデータ処理に基づくアプリケーションのインフルエンザにより、より良くより高速なメモリデバイスの必要性が高まっています。 人工知能、機械学習、ビッグデータ、クラウドコンピューティングなどの新興技術により、メモリコンポーネントを解決するために、より高度な技術が求められます。 これらのアプリケーションは、従来のメモリで管理しにくい、特定の時間、即時分析、およびビッグデータのストレージで高速なデータ処理を必要とします。 3D NANDフラッシュ、MRAM、およびReRAMなどの新技術は、これらの要件を緩和するために開発されてきました。これにより、より速く、より耐え、より電力効率が向上します。

独自のIoTデバイスとスマートデバイスの高いトラフィック率は、成長を続けるメモリシステムの構築の必要性を強調します。 これまで以上にデータが複雑化し、同時にエネルギーフレンドリーであると同時に、処理の高速化をサポートするメモリソリューションが不可欠です。 この市場の需要は、新しいソリューションを開発するために、スペクトル全体のデータ指向産業における新しいメモリ技術の導入と資金を駆動しています。

ReRAM、MRAM、および3D NANDフラッシュなどのメモリ技術の技術的進歩。

ReRAM、MRAM、および3D NANDフラッシュストレージの将来のメモリ技術。 一方、ReRAM は、抵抗スイッチの使用によって有効化されているハッシュされたデータ書き込みオプションを提供し、これは純粋に効率的でスケーラブルな構造であることを証明します。 MRAMは、その操作で磁気特性を使用し、非揮発性メモリ、高信頼性、高耐久性、および速度を提供し、今日の電子機器に非常に価値があります。 並行して、メモリセルをスタック構成に含んだ3D NANDフラッシュは、ストレージスペースを3次元的に増加させ、コンシューマーエレクトロニクスやデータセンターの高密度および機能性を提供します。

これは、IoT、人工知能、エッジコンピューティングなどのコンピュータやデータセンターや新しいアプリケーションのニーズを満たすために、新しい、より効率的で長持ちし、省エネソリューションの開発につながりました。 これらのテクノロジーのさらなる進歩により、さまざまな業界が市場を貫通し、市場を手頃な価格のソリューションで革命化し、最高の密度とパフォーマンスを備えたデバイスでより多くのメモリの需要の増加の現在の傾向に効果的に対処するのに役立ちます。 これらのブレークスルーは、非揮発性メモリの未来のためのコースを設定しています。

高度なメモリ技術のための高い製造コストは、広範な採用とスケーラビリティを制限します。

複数の製造課題は、ReRAMやMRAMなどのハイエンド・メモリ・テクノロジー、さらに3次元のNANDフラッシュなど、大量に製造する費用がかかるように見える。 これらの次世代のメモリソリューションは、現在の技術の先にある小さな進化のステップではありません。 それらは、製造にはるかに高度で高価です。 また、このような技術を製造するために必要な機械には、資本投資が必要です。そのため、生産することは安価ではありません。 これまでの研究で指摘したように、多くの技術は、技術の研究、開発、製造の形で高い初期コストを持っているので、市場や限られた市場浸透に長いラグ時間の問題があります。

小規模な組織は、このようなコストを持続できる、大規模かつ十分に確立された業界プレーヤーと競合する困難を持っています。 これは、IoT、AI、自動車などのさまざまな産業におけるメモリソリューションの需要増加を満たすために、生産のスケーラビリティに対する金融問題を多大に捉えています。 これらの費用は、ムーアの法律に関連するものなど、事前に有効化されるレベルのタイプに追いつくことができないため、幅広いアプリケーションではなく、次世代のメモリがポイントソリューションに多く存在する可能性があります。

AI、IoT、クラウドコンピューティングアプリケーションにおける高度なメモリソリューションの需要増加

AI、IoT、クラウドコンピューティング部門は、効果的なメモリ製品に対する需要が高まっています。 これらの技術は、速度、容量、およびスケーラビリティで保存および分析するために必要な膨大な量のデータを生成するという事実によって証明されます。 人工知能と機械学習の分野では、迅速かつ効率的な記憶により、データとモデルのトレーニングプロセスの即時処理が可能になります。

IoTでは、接続されたデバイスがデータを転送し、リアルタイムで処理できるように、低電力、高速メモリが使用されます。 また、クラウドコンピューティングは、データストレージとデータ処理ソリューションを必要とし、同時に、効率的な処理速度とデータ精度を実現します。 これらのセクターが進化するにつれて、次世代のメモリソリューションは、ReRAM、MRAM、および3D NANDフラッシュを含む業界の需要に留まらず、より効率的でより大きなソリューションを必要としています。

データセンターやクラウドインフラを拡大し、大容量メモリの需要が増加しています。

多くの企業や企業がクラウドサービスやデータセンターにleaningしているため、リソースフルメモリの必要性が上昇しています。 そのため、現在、ローカルと国際的にもデータ量が高まっています。また、このようなデータを保存するデータセンターでは、最高のメモリ技術が必要です。 クラウド運用環境は、金融、ヘルスケア、通信などの多様な分野において、さまざまなアプリケーションを処理するための高速でスケーラブルで高いI/O効率的なメモリが必要です。

ビッグデータ、AI、IoTアプリケーションからの需要が高まり、大規模大容量メモリシステムの開発を推進しています。 さらに、エッジコンピューティングの成長に伴い、ソースからのデータ処理のための低レイテンシー、高スループットのメモリが要求されます。 これらのインフラのこのような進歩により、データストレージおよびデータ処理の需要の増加を満たす不揮発性メモリの要件は、急激な上昇が要求されます。

業界の主要な市場セグメントは何ですか?

コンポーネントに基づいて、次世代非揮発性メモリ市場は、フェーズチェンジメモリ(PCM)、抵抗RAM(ReRAMまたはRRAM)、磁気抵抗RAM(MRAM)、フェロ電気RAM(FeRAM)、スピントランスファートルクRAM(STT-RAM)、および3D NANDフラッシュに分類されます。 PCMは、データを保存するためのフェーズを上回る機能を利用しています。そのため、長いサービス期間を必要とする高速アプリケーションに適しています。 ReRAMは、高速な書き込み速度の能力を持つ低電力メモリで、他のシステムの構築ブロックで実装でき、メモリ強化として使用できます。 MRAM は、RAM テクノロジーの表をもたらす鮮度は、データストレージが磁気状態を使用していることであり、その結果、高い耐久性とパワーのないコンテンツを維持する能力、自動車および産業分野にパラマウントされる重要な側面です。

FeRAMは、非常に低い電力消費を持ち、読み取り速度と書き込み速度で作業することができます。また、医療用途で使用される機器やシステムで使用するのに最適です。 STT-RAMは、標準的なMRAMと3D NANDフラッシュ、強化された密度、およびデータ センターや消費者のガジェットに最適な機能よりも、より優れた読み取り/書き込みスループットを持っています。 どちらのタイプも、迅速な処理、電力消費、および貯蔵ニーズの異なるレベルを必要とするセクターにケータリング、その利点を持っています。

機能に基づいて、次世代非揮発性メモリ市場は、データセンターおよびクラウドストレージ、高性能コンピューティング(HPC)、エッジコンピューティング、スマートデバイス&IoT、人工知能(AI)&機械(ML)、ゲーム&バーチャルラーニングリアリティ(VR)、ネットワーキング&テレコムインフラ、自動システム&ロボティクス。 データセンターやクラウドベースのサービスなど、例えば、3D NAND Flashや Storage-Class Memory(SCM)のような技術は、アクセス率の高い高密度ストレージを可能にします。 データ処理機能は、メモリの使用を伴って、高速なデータへのアクセスと操作、PCMとReRAMをサポートする技術の1つです。 ポータブルおよびIoTアプリケーションにおける主要な懸念の1つは、このような開発では、速度が常に重要ではなく、低電力はより少ない熱を等しく、より少ないエネルギー使用と長寿命を意味します。

電力効率は、このような用途で重要であり、2つの技術は低い電力消費を有すると考えられています。 それらは、熱電RAM(FeRAM)と磁気RAM(MRAM)を含みます。 MRAMおよびSTT-RAMが高耐久機能のために非常に有効である大気および宇宙空間、自動車および産業分野に関連する重要な適用のために読み、書く操作は必要です。 これらの特定の機能要件をケータリングすることで、NVM市場は、さまざまな業界での高速、低電力、およびハイエンドのアプリケーションの成長傾向に匹敵します。

市場をリードする地域とその理由

北米次世代非揮発性メモリ市場は、この分野における技術開発と研究の十分な投資のために成長しています。 マイクロン・テクノロジー、インテル、ウェスタン・デジタルを含むこれらのプレイヤーは、特にデータセンター、クラウド、およびHPCのメモリ・イノベーションの中心として認められました。 人工知能技術、IoT、自動車産業の高度かつ高度に深い利用により、北米における高速かつ最も重要な信頼性のあるメモリソリューションの必要性が高まりました。 また、健全なインフラを整備し、先進的な技術が求められた。 今後データセンターの要件の現在の市場と予測の傾向によると、5Gネットワークの到来により、北米は、異なるセクターで強化された3D NANDフラッシュ、ReRAM、およびMRAM技術のために市場をリードし続けます。

アジア・パシフィック次世代非揮発性メモリ市場は、産業・技術分野における次世代非揮発性メモリ(NVM)を採用し、製造された消費財の需要が高まっています。 確かに、今日韓国は、中国、日本、インドに言及しないサムスン電子とSKハイニクスを含む主要な国際半導体産業がそこに存在している技術のリーダーの一つになりました。 地域におけるIoT、自動車、および5G技術の増加は、高性能で低電力のメモリソリューションの要求に大きく影響します。

特に製造業や電子機器業界においてアジアの技術開発産業は、スマートフォン、ウェアラブル、スマートホームデバイスなどの電子ガジェット用の3D NAND FlashとMRAMの使用を奨励しています。 エッジコンピューティングやクラウドへの投資が増え、特にアジア太平洋地域におけるAIのバージョン成長に伴い、今後もグローバルレベルでNVM市場の主要ドライバーとなるでしょう。

市場の競争力のある風景はどのようなようですか?

次世代非揮発性メモリ市場の競争環境は、主にミクロン技術、サムスン電子、インテル、SKハイニクス、および西洋デジタルなどの企業のヘッドによって管理されています。これらの会社は、メモリ技術の革新と発展を表しています。 PCM、ReRAM、MRAMなどの新しいメモリ技術のパフォーマンス、密度、および電力要件を最適化するために、R&Dに多くの投資を行っています。 一方、東芝、シーゲイトテクノロジー、STMicroelectronicsなどの企業も3D NANDフラッシュとSCMを推進しています。 競争が激動するにつれて、企業はさまざまな戦略的パートナーシップ、合併、買収に焦点を当てており、その存在を強化し、技術開発のペースを強化しています。

マイクロンやSKハイニックスなど、アジア太平洋地域からの新しい選手が増加し、競争力のある圧力を上げ、生産コストを削減し、ローカル市場から高い需要を得ることができます。 NVMアプリケーション領域の分野を拡大し、IoT、自動車、AIなどの新規ユースケースを調査し始めています。 市場からのこの圧力は、データストレージ、データ処理、および電力効率の多様な要件を満たすために、次世代のメモリソリューションが調整されるように、継続的なイノベーションが行われることを確認します。

次世, Company Shares Analysis, 2024

このレポートの詳細な分析を確認するには - サンプルレポートのリクエスト

最近の合併、買収、または製品発売が業界をシェイピングしているのは?

• 2024年4月サムスン電子NANDフラッシュ市場でのリーダーシップを強化し、その1テラビット(Tb)トリプルレベルセル(TLC)第9世代垂直NAND(V-NAND)の量産を発表しました。

レポートカバレッジ: : :

タイプ別

• 相変化記憶(PCM)
• 抵抗RAM(ReRAMまたはRRAM)
• 磁気抵抗RAM(MRAM)
• フェロ電気のRAM (FeRAM)
• 回転トルクRAM(STT-RAM)
• 3D ナット フラッシュ
• その他

統合タイプ別

• スタンドアロン NVM
• 組込みNVM

テクノロジー

• 組込みNVM
• ストレージクラスメモリ(SCM)
• 持続的な記憶(PMEM)

用途別

• データセンターとクラウドストレージ
• 高性能コンピューティング(HPC)
• エッジコンピューティング
• スマートデバイスとIoT
• 人工知能(AI)と機械学習(ML)
• ゲーム&バーチャルリアリティ(VR)
• ネットワーキング&テレコム インフラ
• 自動システム・ロボティクス

エンドユーザーによる

• IT・通信
• 自動車産業
• 消費者エレクトロニクス
• ヘルスケア&ライフサイエンス
• 産業製造業
• 軍隊及び防衛

地域別

北アメリカ

• アメリカ
• カナダ

ヨーロッパ

• アメリカ
• フランス
• ドイツ
• イタリア
• スペイン
• ヨーロッパの残り

アジアパシフィック

• 中国語(簡体)
• ジャパンジャパン
• インド
• オーストラリア
• 韓国
• シンガポール
• アジア太平洋地域

ラテンアメリカ

• ブラジル
• アルゼンチン
• メキシコ
• ラテンアメリカの残り

中東・アフリカ

• GCCについて 国土交通
• 南アフリカ
• 中東・アフリカの残り

企業リスト:

• マイクロンテクノロジー株式会社
• サムスン電子株式会社
• インテル株式会社
• SKハイニクス株式会社
• 東芝株式会社
• 西デジタル株式会社
• サンディスク株式会社
• シーゲイト・テクノロジー・ホールディングス PLC
• アナログデバイス株式会社
• インフィニオンテクノロジーズAG
• 西リンクス株式会社
• サイプレス 半導体 会社案内
• STマイクロエレクトロニクス N.V.の特長
• 株式会社ブロードコム
• マイクロチップ技術株式会社

よくある質問